SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
分析光学元件保偏特性的方法
吴昊; 郑厚植; 朱汇
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种分析光学元件保偏特性的方法,包括:由第一宽波段线偏振片和第一宽波段四分之一波长波片组成极化单元,由第二宽波段四分之一波长波片和第二宽波段线偏振片组成检测单元,在同一光路上依次排列有激光器、极化单元、检测单元和光功率计;调节极化单元和调节检测单元;在极化单元和检测单元之间插入待测的光学元件;读取光功率计的读数,若待测光学元件对入射光的偏振状态有所改变,光功率计的读数将有所增加;若待测光学元件对入射光的偏振状态没有改变,则光功率计的读数不变,仍然只反映环境光的强度。
部门归属半导体超晶格国家重点实验室
专利号CN200910088591.1
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910088591.1
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21869
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
吴昊,郑厚植,朱汇. 分析光学元件保偏特性的方法. CN200910088591.1.
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