Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 一种可实现自旋动态存储的器件 | |
孙晓明; 郑厚植; 甘华东
| |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种可实现自旋动态存储的器件，该器件包括从下到上依次生长的衬底(10)、缓冲层(20)和微腔结构(30)，且该微腔结构(30)包括从下到上依次生长的下反射镜(31)、有源区(32)和上反射镜(33)，该有源区(32)是由交替生长的镓氮砷(321)和砷化镓(322)构成。本发明通过将室温下具有长弛豫时间的镓氮砷材料置入微腔中作为有源区，利用微腔具有的强耦合机制，有效放大镓氮砷材料中电子的弛豫时间，为实现自旋的动态存储以及量子计算机的实现打下坚实的基础。 |
| 部门归属 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 专利号 | CN200910237089.2 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN200910237089.2 |
| 专利代理人 | 周国城 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21861 |
| 专题 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙晓明,郑厚植,甘华东. 一种可实现自旋动态存储的器件. CN200910237089.2. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200910237089.2.pdf（540KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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