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| 具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器 | |
| 孙晓明; 郑厚植; 章昊 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上；一有源区生长在腔体下砷化镓层上，包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层；一腔体中砷化镓层生长在有源区上；一势垒结构生长在腔体中砷化镓层上，包括依次生长的下铝镓砷层、砷化铝层、上铝镓砷层以及铝镓砷渐变层，其中下铝镓砷层和上铝镓砷层的组成成份都为Al0.45Ga0.55As，铝镓砷渐变层的组成成份为AlXGa1-XAs，沿着生长方向，X由0.45渐变至0；一腔体上砷化镓层生长在势垒结构上；一上反射镜生长在腔体上砷化镓层上，包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。 |
| 部门归属 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 专利号 | CN200910237780.0 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN200910237780.0 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21857 |
| 专题 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙晓明,郑厚植,章昊. 具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器. CN200910237780.0. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200910237780.0.pdf（388KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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