The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells
Jiang DS; Liang XG; Sun BQ; Bian L; Li LH; Pan Z; Wu RG; Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
2002
会议名称International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002)
会议录名称INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS
页码382-385
会议日期JUL 22-25, 2002
会议地点AACHEN, GERMANY
出版地PAPPELALLEE 3, W-69469 WEINHEIM, GERMANY
出版者WILEY-V C H VERLAG GMBH
ISBN3-527-40434-1
部门归属chinese acad sci, inst semicond, natl lab superlattices & microstruct, beijing 100083, peoples r china
摘要Photoluminescence (PL) spectra of GaInNAs/GaAs multiple quantum wells and GaInNAs epilayers grown on GaAs substrate show an apparent "S-shape" temperature-dependence of the of dominant luminescence peak. At low temperature and weak excitation conditions, a PL peak related to nitrogen cluster-induced bound states can be well resolved in the PL spectra. It displays a remarkable red shift of up to 60 meV and is thermally quenched below 100 K with increasing temperature, being attributed to N-cluster induced bound states. The indium incorporation exhibits significant effect on the cluster formation. The rapid thermal annealing treatment at 750 C can essentially remove the bound states-induced peak.
关键词Luminescence Localization
学科领域半导体物理
主办者Res Ctr Julich.; AIXTRON.; Deutsch Forsch Gemeinsch.; European Off Aerosp Res & Dev.; Deutsch Gesell Kristallwachstum & Kristallzucht.
收录类别CPCI-S
语种英语
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13577
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
通讯作者Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
推荐引用方式
GB/T 7714
Jiang DS,Liang XG,Sun BQ,et al. The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells[C]. PAPPELALLEE 3, W-69469 WEINHEIM, GERMANY:WILEY-V C H VERLAG GMBH,2002:382-385.
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