Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
应用微波光子晶体的共面波导结构 | |
张 昀; 哈森其其格; 任 民; 鞠 昱; 陈 伟; 谢 亮; 祝宁华 | |
2010-08-12 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2009-12-23 ; 2010-08-12 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
摘要 | 本发明公开了一种应用微波光子晶体的共面波导结构,该结构包括:用于高频传输的一电介质层(3);用于限制电磁波的一光子晶体地平面(2),该光子晶体地平面(2)由多个微波光子晶体单元结构(1)连接构成,位于该电介质层(3)之上,且与该电介质层(3)紧密结合;用于传播电磁波的一中心导体(4),该中心导体(4)是一根L型50欧姆铜导线,在导线中间位置发生90度弯折,位于该电介质层(3)之上,且与该电介质层(3)紧密结合。本发明提供的这种应用微波光子晶体的共面波导结构,有效的减少了信号的泄漏,简化了制备工艺,使其更适合于单片微波集成,并能提高实共面波导的传输系数。 |
申请日期 | 2008-06-18 |
语种 | 中文 |
专利状态 | 实质审查的生效 |
申请号 | CN200810115161.X |
专利代理人 | 周国城:中科专利商标代理有限责任公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13446 |
专题 | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张 昀,哈森其其格,任 民,等. 应用微波光子晶体的共面波导结构[P]. 2010-08-12. |
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文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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