单模量子级联激光器线阵列结构
高 瑜; 刘峰奇; 刘俊岐; 王占国
2010-08-12
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2010-03-03 ; 2010-08-12
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种单模量子级联激光器线阵列结构,其特征在于,该结构包括:一衬底;多个脊形单元,该多个脊形单元依序纵向制作在衬底上,形成脊形结构列;一隔离层,该隔离层制作在多个脊形单元和衬底的表面,该隔离层在该多个脊形单元的上表面为断开,形成电注入窗口;一上欧姆接触层,该上欧姆接触层制作在隔离层以及电注入窗口上;一下欧姆接触层,该下欧姆接触层制作在衬底的下表面。
申请日期2008-08-27
语种中文
专利状态实质审查的生效
申请号CN200810118963.6
专利代理人汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13372
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
高 瑜,刘峰奇,刘俊岐,等. 单模量子级联激光器线阵列结构[P]. 2010-08-12.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
3552.pdf(400KB) 限制开放--请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[高 瑜]的文章
[刘峰奇]的文章
[刘俊岐]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[高 瑜]的文章
[刘峰奇]的文章
[刘俊岐]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[高 瑜]的文章
[刘峰奇]的文章
[刘俊岐]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。