Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
学科主题 | 半导体材料 |
ф2”和 ф3”非掺Si-GaAs单晶(片)研究 | |
林兰英; 曹福; 白玉珂; 惠峰; 卜俊鹏 | |
获奖类别 | 院科技进步奖 |
获奖等级 | 二等奖 |
1996 | |
关键词 | Si-gaas |
语种 | 中文 |
文献类型 | 成果 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/11086 |
专题 | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 林兰英,曹福,白玉珂,等. ф2”和 ф3”非掺Si-GaAs单晶(片)研究. 1996. |
条目包含的文件 | 条目无相关文件。 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[林兰英]的文章 |
[曹福]的文章 |
[白玉珂]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[林兰英]的文章 |
[曹福]的文章 |
[白玉珂]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[林兰英]的文章 |
[曹福]的文章 |
[白玉珂]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论