Recent progresses of silicon-based optoelectronic devices for application in fiber communication

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	Recent progresses of silicon-based optoelectronic devices for application in fiber communication
	Yu, JZ; Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
	2004
会议名称	1st IEEE International Conference on Group IV Photonics
会议录名称	2004 IST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS
页码	139-141
会议日期	SEP 29-OCT 01, 2004
会议地点	Hong Kong, PEOPLES R CHINA
出版地	345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA
出版者	IEEE
ISBN	0-7803-8474-1
部门归属	chinese acad sci, inst semicond, beijing 100083, peoples r china
摘要	Si-based optoelectronic devices, including stimulated emission from Si diode, 1.3 and 1.5mum SiGe photodetector with quantum structures, 1GHz MOS optical modulator, SOI optical switch matrix and wavelength tunable filter are reviewed in the paper.
关键词	Low-power-consumption Modulator Photodetector Fabrication Diode
学科领域	光电子学
主办者	IEEE.
收录类别	CPCI-S
语种	英语
文献类型	会议论文
条目标识符	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/10064
专题	中国科学院半导体研究所（2009年前）
通讯作者	Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
推荐引用方式 GB/T 7714	Yu, JZ,Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.. Recent progresses of silicon-based optoelectronic devices for application in fiber communication[C]. 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA:IEEE,2004:139-141.

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