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High-concentration hydrogen in unintentionally doped GaN 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189, TOKUSHIMA CITY, JAPAN, OCT 27-31, 1997
作者:  Zhang JP;  Wang XL;  Sun DZ;  Li XB;  Kong MY;  Zhang JP Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangjp@red.semi.ac.cn
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Gallium Nitride  Gas Source Molecular Beam Epitaxy  Hydrogen  Autodoping  Films  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JP;  Wang XL;  Sun DZ;  Li XB;  Kong MY;  Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangjp@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zou LF;  Acosta-Ortiz SE;  Zou LX;  Regalado LE;  Sun DZ;  Wang ZG;  Zou LF,Ctr Invest Opt AC,Unidad Aguascalientes,Juan Montoro 207,Zona Ctr,Aguascalientes 20000,Ags,Mexico. 电子邮箱地址: lfzou@ags.ciateq.mx
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