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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, Wen;   Tian, Jinping;   Yang, Rongcao;   Pei, Weihua
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZJ;  Qu SC;  Zeng XB;  Liu JP;  Zhang CS;  Shi MJ;  Tan FR;  Wang ZG;  Qu SC Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: qsc@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JC;  Cao SX;  Zhang RY;  Yu LM;  Jing C;  Zhang, JC, Shanghai Univ, Ctr Nanosci & Technol, Dept Phys, Shangda Rd 99, Shanghai 200436, Peoples R China. 电子邮箱地址: jczhang@mail.shu.edu.cn
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Studies of 6H-SiC devices 会议论文
CURRENT APPLIED PHYSICS, 2 (5), SEOUL, SOUTH KOREA, DEC 05-09, 2001
作者:  Wang SR;  Liu ZL;  Wang SR Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Sic  Schottky  Pn Junction Diodes  Mos Capacitor  Junction Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang SR;  Liu ZL;  Wang SR,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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