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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du, YD;  Han, WH;  Yan, W;  Xu, XN;  Zhang, YB;  Wang, XD;  Yang, FH;  Cao, HZ;  Jin, F;  Dong, XZ;  Zhao, ZS;  Duan, XM;  Liu, Y
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song GF;  Gan QQ;  Qu X;  Fang PY;  Gao JX;  Cao Q;  Xu J;  Kang XN;  Xu Y;  Zhong Y;  Yang GH;  Chen LH;  Gan, QQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gqq@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋国峰;  甘巧强;  瞿欣;  方培源;  高建霞;  曹青;  徐军;  康香宁;  徐云;  钟源;  杨国华;  陈良惠
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Optical analysis of AlGaInP laser diodes with real refractive index guided self-aligned structure 会议论文
APOC 2003:ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS; MATERIALS, ACTIVE DEVICES, AND OPTICAL AMPLIFIERS, PTS 1 AND 2, 5280, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 04-06, 2003
作者:  Xu Y;  Zhu XP;  Ye XJ;  Kang XN;  Cao Q;  Guo L;  Chen LH;  Xu Y Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Finite-difference Methods  Algainp Laser Diodes  Risa  Operation  Layer  Nm  
High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method 会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:  Ma XY;  Cao Q;  Wang ST;  Guo L;  Wang ZM;  Wang LM;  He GP;  Yang YL;  Zhang HQ;  Zhou XN;  Chen LH;  Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Ingaasp  Strained Layer Quantum Well  Laser Diode  Mocvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  XU HD;  ZHANG SH;  WU H;  WANG HZ;  SHI XQ;  HUANG XM;  YANG CB;  CAO XN;  XU HD ACAD SINICAINST SEMICONDUCTORSPOB 912BEIJING 100083PEOPLES R CHINA
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐鸿达;  王宏杰;  薛寿清;  时贤庆;  黄晓梅;  杨彩炳;  曹效能
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  XU HD;  WANG HZ;  XUE SQ;  SHI XQ;  HUANG XM;  YANG CB;  CAO XN;  XU HD ACAD SINICAINST SEMICONDBEIJING 100083PEOPLES R CHINA
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