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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZT;  Xia JS;  Fan ZC;  Chen SW;  Yu JZ;  Wang ZT,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Li JM;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Duan RF;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Zeng Y;  Duan RF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Dept,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan QF;  Yu JZ;  Liu ZL;  Yan QF,Chinese Acad Sci,State Key Lab Integrated Optoelect,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei WS;  Wang TM;  Zhang CX;  Li GH;  Li YX;  Wei WS,Beijing Univ Aeronaut & Astronaut,Sch Sci,Ctr Mat Phys & Chem,Sch Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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Microstructure of the silicon film prepared near the phase transition regime from amorphous to nanocrystalline 会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:  Zhang SB;  Liao XB;  Xu YY;  Hu ZH;  Zeng XB;  Diao HW;  Luo MC;  Kong G;  Zhang SB Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Condensed State Phys State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
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Polymorphous Silicon  Light-scattering  Thin-films  Si  Microcrystallinity  Absorption  States  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LJ;  Zhu MF;  Liu FZ;  Liu JL;  Han YQ;  Wang LJ,Chinese Acad Sci,Dept Phys,Grad Sch,Beijing 100039,Peoples R China.
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Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient 会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Wang QY;  Wang JH;  Deng HF;  Lin LY;  Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Sci Ctr Beijing 100083 Peoples R China.
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Neutron Irradiation  Annealing  Defects In Silicon  Spectra  
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Zhang ZC;  Ren BY;  Chen YH;  Yang SY;  Wang ZG;  Zhang ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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Czochralski Method  Growth From Melt  Semiconductor Silicon  Argon Gas Flow  Computer Simulation  Oxygen Content  Furnace Pressure  
Influence of heated catalyzer on thermal distribution of substrate in HWCVD system 会议论文
THIN SOLID FILMS, 430 (1-2), DENVER, COLORADO, SEP 10-13, 2002
作者:  Zhang Q;  Zhu M;  Wang L;  Liu E;  Zhu M Chinese Acad Sci Dept Phys Grad Sch POB 3908 Beijing 100039 Peoples R China.
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Amorphous-silicon  Deposition