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高性能AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管的制备与研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  张仁平
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内嵌InAs 量子点的调制掺杂场效应晶体管特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  李越强
Adobe PDF(4817Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:908/49  |  提交时间:2011/06/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma, HL;  Wang, XF;  Zhang, JY;  Wang, XD;  Hu, CX;  Yang, X;  Fu, YC;  Chen, XG;  Song, ZT;  Feng, SL;  Ji, A;  Yang, FH;  Yang, FH (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China,fhyang@red.semi.ac.cn
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