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无权访问的条目 期刊论文
作者:  祝梦遥;  鲁军;  马佳淋;  李利霞;  王海龙;  潘东;  赵建华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, HL;  Zhang, W;  Sun, LJ;  Ma, SD;  Shi, Y;  Qu, HW;  Zhang, YJ;  Zheng, WH
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相变存储器器件工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  马慧莉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fu YC (Fu Ying-Chun);  Wang XF (Wang Xiao-Feng);  Fan ZC (Fan Zhong-Chao);  Yang X (Yang Xiang);  Bai YX (Bai Yun-Xia);  Zhang JY (Zhang Jia-Yong);  Ma HL (Ma Hui-Li);  Ji A (Ji An);  Yang FH (Yang Fu-Hua)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, JY;  Wang, XF;  Wang, XD;  Ma, HL;  Fu, YC;  Ji, A;  Song, ZT;  Feng, SL;  Yang, FH
Adobe PDF(831Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1050/347  |  提交时间:2013/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong DH;  Zhu HL;  Liang S;  Wang BJ;  Bian J;  Ma L;  Yu WK;  Lou CY;  Kong, DH (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, kdh@semi.ac.cn
Adobe PDF(561Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:750/175  |  提交时间:2012/02/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma, HL;  Wang, XF;  Zhang, JY;  Wang, XD;  Hu, CX;  Yang, X;  Fu, YC;  Chen, XG;  Song, ZT;  Feng, SL;  Ji, A;  Yang, FH;  Yang, FH (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China,fhyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo LC;  Wang XL;  Xiao HL;  Ran JX;  Wang CM;  Ma ZY;  Luo WJ;  Wang ZG;  Guo LC Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lcguo@semi.ac.cn
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氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  马志勇;  冉学军;  肖红领;  王翠梅;  胡国新;  唐健;  罗卫军
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半导体激光器热沉管道 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04
发明人:  王大拯;  王翠鸾;  仲莉;  韩淋;  崇峰;  史慧玲;  王冠;  胡理科;  刘素平;  马骁宇
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