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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  鞠研玲;  杨晓红;  韩勤;  杜云;  倪海桥;  黄社松;  王鹏飞;  贺继方;  牛智川
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘海军;  高鹏;  陈弘达;  顾明;  许奇明;  刘金彬;  黄北举
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄家乐;  毛陆虹;  陈弘达;  高鹏;  刘金彬;  雷晓荃
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周震;  杨晓红;  韩勤;  杜云;  彭红玲;  吴荣汉;  黄永清;  任晓敏
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨玉芬;  张黄河;  王保强;  侯梦会;  吴晓东;  彭斌
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一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  牛智川;  倪海桥;  王海莉;  贺继方;  朱岩;  李密峰;  王鹏飞;  黄社松;  熊永华
Adobe PDF(723Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1665/204  |  提交时间：2011/08/30