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| 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人: 王晓亮; 唐 健; 肖红领; 王翠梅; 冉学军; 胡国新; 李晋敏
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| 倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 杨翠柏; 肖红领; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李晋闽
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| 双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郑婉华; 王科; 任刚; 杜晓宇; 邢名欣; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Bai AQ; Hu D; Ding WC; Su SJ ; Hu WX; Xue CL; Fan ZC; Cheng BW; Yu YD; Wang QM; Cheng BW Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: anqibai@semi.ac.cn; cbw@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liang JR; Hu M; Wang XD; Li GK; Ji A; Yang FH; Liu J; Wu NJ; Chen HD; Liang JR Tianjin Univ Sch Elect & Informat Engn Tianjin 300072 Peoples R China. E-mail Address: liang_jiran@tju.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen W; Xing MX; Ren G; Wang K; Du XY; Zhang YJ; Zheng WH; Zheng WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Nanooptelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whzheng@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang W; Ji Y; Luo HH; Ruan XZ; Wang WZ; Zhao JH; Ji, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lu QY; Zhang W; Wang LJ; Gao Y; Yin W; Zhang QD; Liu WF; Liu FQ; Wang ZG; Lu, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: fqliu@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zheng WL; Li ZW; Wang XF; Zheng WL Chengde Teachers Coll Nationalities Dept Phys Chengde 067000 Peoples R China. E-mail Address: zhengwenliheda@126.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang BZ; Wang XL; Wang BZ Hebei Univ Sci & Technol Inst Informat Sci & Technol Shijiazhuang 050018 Peoples R China. E-mail Address: wangbz@semi.ac.cn
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