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| 硅基杂质原子晶体管中电子输运行为的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 张晓迪
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 熊莹; 张仁平; 杨富华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 唐海马; 郑中山; 张恩霞; 于芳 ; 李宁; 王宁娟; 李国花; 马红芝
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| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华
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| 半导体晶体管结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07
发明人: 张严波; 韩伟华; 杜彦东; 李小明; 陈艳坤; 杨香; 杨富华
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| 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07
发明人: 韩伟华; 陈燕坤; 李小明; 张严波; 杜彦东; 杨富华
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| 基于光压效应的红外光子探测方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102252753A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-11-23, 2012-09-07
发明人: 张逢新; 杨晋玲; 朱银芳
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| 一种平面相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010531375.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
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| 平面相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010283557.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
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| 平面相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010520209.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
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