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Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Xu B;  Tang CG;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  
砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵超;  徐波;  陈涌海;  金鹏;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周伟;  梁基本;  徐波;  龚谦;  李含轩;  刘峰奇;  姜卫红;  江潮;  许怀哲;  丁鼎;  张金福;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱东海;  范缇文;  梁基本;  徐波;  朱战萍;  龚谦;  江潮;  李含轩;  周伟;  王占国
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