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作者:  祝梦遥;  鲁军;  马佳淋;  李利霞;  王海龙;  潘东;  赵建华
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双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  邢军亮;  张宇;  王国伟;  王娟;  王丽娟;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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