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一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘志凯;  柴春林;  蒋渭生
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单光子探测装置的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘伟;  杨富华;  曾宇昕;  郑厚植
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矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘志宏;  王圩
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半导体激光器和楔形波导模斑转换器集成器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘志宏;  王圩
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偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王书荣;  王圩;  刘志宏;  张瑞英;  朱洪亮;  王鲁蜂
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei ZF;  Xu SJ;  Duan RF;  Li Q;  Wang J;  Zeng YP;  Liu HC;  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, CAS, Joint Lab New Mat, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu JJ;  Han XX;  Li JM;  Li DB;  Lu Y;  Wei HY;  Cong GW;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Wu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiejunw@red.semi.ac.cn
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基于湿法刻蚀工艺设计和制作SOI 热光开关和矩阵光开关 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  刘敬伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cong, GW;  Wei, HY;  Zhang, PF;  Peng, WQ;  Wu, JJ;  Liu, XL;  Jiao, CM;  Hu, WG;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Cong, GW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gwcong@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋淑芳;  陈维德;  张春光;  卞留芳;  许振嘉
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