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高性能1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
Authors:  季海铭
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高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 4007
Inventors:  杨 涛;  季海铭 
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p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1896-1900
Authors:  季海铭;  曹玉莲;  杨涛;  马文全;  曹青;  陈良惠
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