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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [6]
作者
文献类型
会议论文 [6]
发表日期
2004 [1]
1999 [1]
1998 [4]
语种
英语 [6]
出处
SEMICONDUC... [3]
APOC 2003:... [1]
OPTOELECTR... [1]
PHOTONICS ... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [6]
资助机构
SPIE.; COS... [3]
SPIE, Taiw... [1]
SPIE.; Chi... [1]
SPIE.; Nan... [1]
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收录类别:CPCI\-S
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Optical analysis of AlGaInP laser diodes with real refractive index guided self-aligned structure
会议论文
APOC 2003:ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS; MATERIALS, ACTIVE DEVICES, AND OPTICAL AMPLIFIERS, PTS 1 AND 2, 5280, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 04-06, 2003
作者:
Xu Y
;
Zhu XP
;
Ye XJ
;
Kang XN
;
Cao Q
;
Guo L
;
Chen LH
;
Xu Y Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Finite-difference Methods
Algainp Laser Diodes
Risa
Operation
Layer
Nm
650nm AlGaInP quantum well lasers for the application of DVD
会议论文
PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899, SINGAPORE, SINGAPORE, DEC 01-03, 1999
作者:
Chen LH
;
Ma XY
;
Guo L
;
Ma J
;
Ding HY
;
Cao Q
;
Wang LM
;
Zhang GZ
;
Yang YL
;
Wang GH
;
Tan MQ
;
Chen LH Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Dvd
Laser Diode
Visible
Algainp
Mocvd
Operation
Diodes
High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Wang ZM
;
Wang LM
;
He GP
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Zhou XN
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Ingaasp
Strained Layer Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
Visible vertical cavity surface emitting laser
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Cheng P
;
Ma XY
;
Gao JH
;
Kang XJ
;
Cao Q
;
Wang HJ
;
Luo LP
;
Zhang CH
;
Lu XL
;
Lin SM
;
Cheng P Acad Sinica Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Semiconductor Lasers
Oxidation
High temperature operation of 650nm AlGaInP quantum well laser diodes grown by LP-MOCVD
会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES, 3419, TAIPEI, TAIWAN, JUL 09-11, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Lian P
;
Wang LM
;
Zhang XY
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Wang GH
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Algainp
Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
The study of single mode 650nm AlGaInP quantum well laser diodes for DVD
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Wang LM
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Zhang XY
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Algainp
Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
Dvd