中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  刘广政
Adobe PDF(6805Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1600/100  |  提交时间：2016/06/03
Gaas/si  Gaas/ge  两步法  四步法  量子点  激光器  
利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1240/206  |  提交时间：2011/08/31
一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭严;  宋华平;  郑高林;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(378Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1286/262  |  提交时间：2011/08/31