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| 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 王科范; 杨晓光 ; 杨涛; 王占国
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| 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208756A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 汪明; 杨涛
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| 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国
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| 硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 杨涛; 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 季祥海; 王占国
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| 高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人: 王涛; 刘俊岐; 刘峰奇; 张锦川; 王利军; 王占国
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| 用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-10
发明人: 梁平; 胡颖; 刘俊岐; 刘峰奇; 王利军; 张锦川; 王涛; 姚丹阳; 王占国
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| 直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人: 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 杨涛; 王占国
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| 硅衬底上生长纳米线的衬底处理方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-14
发明人: 杨涛; 王小耶
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| 基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人: 郭菲; 陆丹; 张瑞康; 王会涛; 王圩; 吉晨
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| 单片集成式多波长半导体锁模激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘松涛; 张希林; 陆丹; 张瑞康; 吉晨; 王圩
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