已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国 Adobe PDF(257Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1386/248  |  提交时间:2012/09/09 |
| 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102208756A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 汪明; 杨涛 Adobe PDF(275Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1369/234  |  提交时间:2012/09/09 |
| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1405/243  |  提交时间:2011/08/31 |
| 电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237090.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 汪洋; 赵玲娟; 朱洪亮; 王圩 Adobe PDF(463Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1120/208  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1240/206  |  提交时间:2011/08/31 |
| 分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010564545.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘扬; 赵玲娟; 朱洪亮; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(598Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1314/300  |  提交时间:2011/08/31 |
| 生长氧化锌薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910079800.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王振华; 刘祥林; 杨少延; 杨安丽 Adobe PDF(348Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1310/223  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(378Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1284/262  |  提交时间:2011/08/31 |
| 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国 Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1386/267  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种制备高速电吸收调制器的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810225782.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张伟; 潘教青; 汪洋; 朱洪亮 Adobe PDF(681Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1202/191  |  提交时间:2011/08/31 |