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一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
发明人:  李文兵;  韩 勤;  秦 龙;  杨晓红;  倪海乔;  杜 云;  朱 彬;  鞠研玲
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利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩根全;  曾玉刚;  余金中
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利用UHV/CVD低温生长SiGe材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩根全;  曾玉刚;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HL;  Wu DH;  Wu BP;  Ni HQ;  Huang SS;  Xiong YH;  Wang PF;  Han Q;  Niu ZC;  Tangring I;  Wang SM;  Wang HL Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattice & Microstruct Beijing 10008 Peoples R China. E-mail Address: hlwang_19841220@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  冉启江;  韩培德;  全宇军;  高利朋;  曾凡平;  赵春华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  秦龙;  韩勤;  杨晓红;  朱彬;  鞠研玲
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  成步文;  薛春来;  罗丽萍;  韩根全;  曾玉刚;  薛海韵;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡新宁;  王秋良;  崔春艳;  韩立;  谢亮
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  曾凡平;  韩培德;  高利朋;  冉启江;  毛雪;  赵春华;  米艳红
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱彬;  韩勤;  杨晓红
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