SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共22条,第1-10条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  尹志岗;  张曙光;  张兴旺;  董敬敬;  高红丽;  施辉东
Adobe PDF(416Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1199/201  |  提交时间:2012/09/09
增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张兴旺;  张曙光;  尹志岗;  董敬敬;  高红丽;  施辉东
Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1150/183  |  提交时间:2012/09/09
利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1240/206  |  提交时间:2011/08/31
制备有序Al纳米颗粒的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910082081.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  游经碧;  张兴旺;  高云;  董敬敬;  陈诺夫
Adobe PDF(158Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1581/212  |  提交时间:2011/08/31
一种增强有机聚合物太阳能电池效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394272A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张兴旺;  高红丽;  谭海仁;  尹志岗;  吴金良
Adobe PDF(438Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1309/222  |  提交时间:2012/09/09
提高聚合物太阳电池效率的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010554257.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  谭海仁;  张兴旺;  高红丽;  白一鸣;  张秀兰;  尹志岗
Adobe PDF(405Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1614/278  |  提交时间:2011/08/31
图案化纳米模板及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010520234.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  董敬敬;  张兴旺;  尹志岗;  谭海仁;  高云;  张曙光;  白一鸣
Adobe PDF(1544Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1497/208  |  提交时间:2011/08/31
锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237094.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张伟;  王利军;  刘俊岐;  李路;  张全德;  陆全勇;  高瑜;  刘峰奇;  王占国
Adobe PDF(1061Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1298/221  |  提交时间:2011/08/31
一种制备氧化锌纳米材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237099.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  董敬敬;  张兴旺;  游经碧;  高云
Adobe PDF(454Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1406/251  |  提交时间:2011/08/31
一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭严;  宋华平;  郑高林;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(378Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1286/262  |  提交时间:2011/08/31