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制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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(In,Al)GaN 材料的MOCVD 生长及其物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  黎大兵
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘祥林;  董逊;  黎大兵
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