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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, QT;  Zhao, Q;  Lu, B;  Zhang, HB;  Liu, S;  Tang, ZP;  Qu, LJ;  Zhu, R;  Zhang, JM;  You, LP;  Yang, FH;  Yu, DP
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双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  邢军亮;  张宇;  王国伟;  王娟;  王丽娟;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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