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中国科学院半导体研究所机构知识库
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Wang, JX
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Zhu, QS
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Wang, ZG
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提交时间:2015/05/11
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Zhang, YY
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Kan, Q
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Wang, GP
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提交时间:2015/03/25
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Zhang, JF
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Nie, YH
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Hao, Y
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提交时间:2015/03/25
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期刊论文
作者:
Zhang, GP
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Gao, M
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Zhang, YY
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Liu, N
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Qin, ZJ
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Shangguan, MH
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提交时间:2013/03/17
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期刊论文
作者:
Xu, D
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Zhang, C
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Lin, YH
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Jiao, L
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Yuan, HM
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Zhao, GP
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Cheng, XN
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提交时间:2013/03/17
High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Wang ZM
;
Wang LM
;
He GP
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Zhou XN
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Ingaasp
Strained Layer Quantum Well
Laser Diode
Mocvd