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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi K (Shi K.);  Zhang PF (Zhang P. F.);  Wei HY (Wei H. Y.);  Jiao CM (Jiao C. M.);  Jin P (Jin P.);  Liu XL (Liu X. L.);  Yang SY (Yang S. Y.);  Zhu QS (Zhu Q. S.);  Wang ZG (Wang Z. G.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou GY (Zhou G. Y.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Tang CG (Tang C. G.);  Liang LY (Liang L. Y.);  Jin P (Jin P.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Zhou, GY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@red.semi.ac.cn
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增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102520377A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  尹志岗;  张兴旺;  吴金良;  付振;  张汉
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