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| 在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人: 周振宇; 陈涌海
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ding WC; Liu Y; Zhang Y; Guo JC; Zuo YH; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM; Ding WC Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wcd04@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Guo JC; Zuo YH; Zhang Y; Ding WC; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM; Guo JC Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jchguo@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen YH; Li C; Zhou ZW; Lai HK; Chen SY; Ding WC; Cheng BW; Yu YD; Li C Xiamen Univ Dept Phys Semicond Photon Res Ctr Xiamen 361005 Peoples R China. E-mail Address: lich@xmu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Y; Zuo YH; Guo JC; Ding WC; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM; Zuo YH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhzuo@red.semi.ac.cn
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| 一种光子晶体可调谐滤波器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 唐海侠; 左玉华; 余金中; 王启明
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| 一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵雷; 左玉华; 王启明
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| 一种硅基电光材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵雷; 左玉华; 王启明
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| 一种量子点材料结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 焦玉恒; 吴巨; 徐波 ; 金鹏; 王占国
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| 半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 成步文; 姚飞; 薛春来; 张建国; 左玉华; 王启明
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