中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
一种光子晶体可调谐滤波器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  唐海侠;  左玉华;  余金中;  王启明
Adobe PDF(831Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1293/192  |  提交时间：2009/06/11
一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵雷;  左玉华;  王启明
Adobe PDF(765Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1245/191  |  提交时间：2009/06/11
一种硅基电光材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵雷;  左玉华;  王启明
Adobe PDF(475Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1132/174  |  提交时间：2009/06/11
一种量子点材料结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  焦玉恒;  吴巨;  徐波;  金鹏;  王占国
Adobe PDF(710Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1303/191  |  提交时间：2009/06/11
半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  成步文;  姚飞;  薛春来;  张建国;  左玉华;  王启明
Adobe PDF(497Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1301/187  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen P;  Zuo YH;  Tu XG;  Cai DJ;  Li SP;  Kang JY;  Yu YD;  Yu JZ;  Wang QM;  Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pchen@semi.ac.cn
Adobe PDF(193Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：992/306  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu JZ;  Wang QM;  Chenw BW;  Chen SW;  Zuo YH;  Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jzyu@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(432Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：968/224  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu SQ;  Cao Y;  Johnson SR;  Zhang YH;  Huang YZ;  Yu, SQ, Arizona State Univ, Ctr Solid State Elect Res, Tempe, AZ 85287 USA. 电子邮箱地址: yushq@asu.edu
Adobe PDF(110Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：891/274  |  提交时间：2010/03/08
Characteristics of triangle and square InP/InGaAsP microlasers 会议论文
ICTON 2008: PROCEEDINGS OF 2008 10TH ANNIVERSARY INTERNATIONAL CONFERENCE ON TRANSPARENT OPTICAL NETWORKS, Athens, GREECE, JUN 22-26, 2008
作者:  Huang YZ;  Wang SJ;  Che KJ;  Hu YH;  Du Y;  Yu LJ;  Huang, YZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(271Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1554/252  |  提交时间：2010/03/09
Semiconductor Lasers  
Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G 会议论文
THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS,SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 25-28, 2007
作者:  Chen P;  Lib SP;  Tu XG;  Zuo YH;  Zhao L;  Chen SW;  Li JC;  Lin W;  Chen HY;  Liu DY;  Kang JY;  Yu YD;  Yu JZ;  Wang QM;  Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(386Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1731/355  |  提交时间：2010/03/09
Pockels Effect