中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共34条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
使用硅阵列孔装配微丝电极阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-30, 公开日期: 4008
发明人:  陈弘达;  朱 琳;  裴为华;  张 旭
Adobe PDF(331Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1184/238  |  提交时间：2010/03/19
Multi channel micro neural probe fabricated with SOI 会议论文
2009 ICME INTERNATIONAL CONFERENCE ON COMPLEX MEDICAL ENGINEERING, Tempe, AZ, APR 09-11, 2009
作者:  Wang SJ (Wang Shujing);  Pei WH (Pei Weihua);  Guo K (Guo Kai);  Gui Q (Gui Qiang);  Wang Y (Wang Yu);  Zhang X (Zhang Xu);  Tang J (Tang Jun);  Chen HD (Chen Hongda);  Pei, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(231Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1948/473  |  提交时间：2010/03/09
Microelectrode Arrays  
Implantable Microsystem for Wireless Neural Recording Applications 会议论文
2009 ICME INTERNATIONAL CONFERENCE ON COMPLEX MEDICAL ENGINEERING, Tempe, AZ, APR 09-11, 2009
作者:  Zhang X (Zhang Xu);  Pei WH (Pei Weihua);  Huang BJ (Huang Beiju);  Chen J (Chen Jin);  Guan N (Guan Ning);  Chen HD (Chen Hongda);  Zhang, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1810Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1947/322  |  提交时间：2010/03/09
System  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王淑静;  裴为华;  张旭;  郭凯;  朱琳;  归强;  王宇;  陈弘达
Adobe PDF(252Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1228/463  |  提交时间：2010/11/23
一种制作皮肤干电极的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  裴为华;  陈海峰;  崔世钢;  张若昕;  陈弘达
Adobe PDF(419Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1561/265  |  提交时间：2009/06/11
带位置稳定结构的针状神经微电极 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  裴为华;  陈弘达;  朱琳;  张旭;  郭凯;  王淑静;  陈海峰
Adobe PDF(332Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1240/211  |  提交时间：2009/06/11
硅V形槽板及利用硅V形槽板装配微丝电极阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  张若昕;  裴为华;  隋小红
Adobe PDF(463Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1295/171  |  提交时间：2009/06/11
Monostable-Bistable Transition Logic Element (MOBILE) Model for Single-Electron Transistors 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Wang Y;  Han WH;  Yang X;  Chen JJ;  Yang FH;  Wang, Y, Chinese Acad Sci, Res Ctr Semicond Integrated Technol, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(2039Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1449/318  |  提交时间：2010/03/09
Devices  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang QZ;  Yu JZ;  Chen SW;  Xu XJ;  Han WH;  Fan ZC;  Huang, QZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jzyu@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(2513Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：942/239  |  提交时间：2010/03/08
CMOS电路与MEMS微电极的单片集成化方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  隋晓红;  裴为华
Adobe PDF(526Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1019/132  |  提交时间：2009/06/11