|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张奇; 赵懿昊; 董振; 王翠鸾; 李伟; 刘素平; 马骁宇
 Adobe PDF(1594Kb) |  收藏 | 浏览/下载：425/6 | 提交时间：2017/03/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhao H (Zhao Hui); Luo W (Luo Wei); Zheng HY (Zheng Hai-Yang); Yang JL (Yang Jin-Ling); Yang FH (Yang Fu-Hua)
Adobe PDF(5266Kb) | 收藏 | 浏览/下载：775/155 | 提交时间：2013/03/26 |
| 辐射加固SOI 工艺FPGA 的设计与验证（二） 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者: 韩小炜
Adobe PDF(6631Kb) | 收藏 | 浏览/下载：893/16 | 提交时间：2011/06/02 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 熊莹; 张仁平; 杨富华
Adobe PDF(531Kb) | 收藏 | 浏览/下载：3233/1392 | 提交时间：2012/07/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘伟; 杨富华
Adobe PDF(1516Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1068/348 | 提交时间：2011/08/16 |
| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华
Adobe PDF(396Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1380/249 | 提交时间：2011/08/31 |
| SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 杨富华
Adobe PDF(344Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1693/383 | 提交时间：2012/09/07 |
| 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人: 颜伟; 杜彦东; 韩伟华; 杨富华
Adobe PDF(370Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1288/336 | 提交时间：2012/09/07 |
| 微机电系统机械组元可靠性评估的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078562.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨晋玲; 周威; 周美强; 朱银芳; 杨富华
Adobe PDF(654Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1463/246 | 提交时间：2011/08/31 |
| 以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081225.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李艳 ; 杨富华; 裴为华
Adobe PDF(351Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1781/278 | 提交时间：2011/08/31 |
