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用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓欣;  张建国;  王启明
Adobe PDF(597Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1006/175  |  提交时间:2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JG;  Wang XX;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Hau J;  Ding L;  Ge WK;  Zhang, JG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jianguochang@yahoo.com
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