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利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王启元;  王俊
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硅衬底上高介电常数氧化铝介电薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王启元;  王俊;  王建华
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双异质外延SOI材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王启元;  王俊;  王建华
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在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王启元;  王俊
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang CL;  Wang YG;  Ma XY;  Liu Y;  Sun LQ;  Tian Q;  Zang ZG;  Wang QY;  Wang, CL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: chinawygxjw@yahoo.com.cn
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Optical and structural properties of ZnO films grown on Si(100) substrates by MOCVD - art. no. 60290G 会议论文
ICO20 MATERIALS AND NANOSTRUCTURES丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:  Shen, WJ;  Duan, Y;  Wang, J;  Wang, QY;  Zeng, YP;  Shen, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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Zno  Mocvd  Thermal Annealing  Photoluminescence  X-ray Diffraction  Atomic Force Microscopy  Pulsed-laser Deposition  Thin-films  Photoluminescence  Mechanisms  Epitaxy  Cvd  Si  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shen WJ;  Wang J;  Wang QY;  Duan Y;  Zeng YP;  Shen, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wjshen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  姜其畅;  卓壮;  王勇刚;  李健;  苏艳丽;  马骁宇;  张志刚;  王清月
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