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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
发明人:  李文兵;  韩 勤;  秦 龙;  杨晓红;  倪海乔;  杜 云;  朱 彬;  鞠研玲
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  鞠研玲;  杨晓红;  韩勤;  杜云;  倪海桥;  黄社松;  王鹏飞;  贺继方;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  方志丹;  崔碧峰;  黄社松;  倪海桥;  邢艳辉;  牛智川
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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang Z (Yang Zhi);  Chang B (Chang Benkang);  Zou J (Zou Jijun);  Qiao J (Qiao Jianliang);  Gao P (Gao Pin);  Zeng Y (Zeng Yiping);  Li H (Li Hui);  Chang, B, Nanjing Inst Sci & Technol, Inst Elect Engn & Optpelect Technol, Nanjing 210094, Jiangsu, Peoples R China. 电子邮箱地址: bkchang@mail.njust.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiao JL (Xiao Jin-Long);  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Du Y (Du Yun);  Zhao, H (Zhao Huan);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Xiao, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhuang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Z (Sun Zheng);  Xu ZY (Xu Zhong-Ying);  Ruan XZ (Ruan Xue-Zhong);  Ji Y (Ji Yang);  Sun BQ (Sun Bao-Quan);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz3288@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  高建霞;  宋国峰;  甘巧强;  徐云;  郭宝山;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙征;  徐仲英;  阮学忠;  姬扬;  孙宝权;  倪海桥
Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:968/291  |  提交时间:2010/11/23