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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Nie, S. H.;  Zhu, L. J.;  Lu, J.;  Pan, D.;  Wang, H. L.;  Yu, X. Z.;  Xiao, J. X.;  Zhao, J. H.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Nie, S. H.;  Zhu, L. J.;  Lu, J.;  Pan, D.;  Wang, H. L.;  Yu, X. Z.;  Xiao, J. X.;  Zhao, J. H.
Adobe PDF(1042Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：889/256  |  提交时间：2013/08/27
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, C.;  Qu, H. J.;  Chen, W. X.;  Ran, G. Z.;  Yu, H. Y.;  Niu, B.;  Pan, J. Q.;  Wang, W.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin P (Jin Peng);  Pan SH (Pan S. H.);  Li YG (Li Y. G.);  Zhang CZ (Zhang C. Z.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Jin, P, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: pengjin@red.semi.ac.cn
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The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells 会议论文
INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, AACHEN, GERMANY, JUL 22-25, 2002
作者:  Jiang DS;  Liang XG;  Sun BQ;  Bian L;  Li LH;  Pan Z;  Wu RG;  Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(240Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1345/283  |  提交时间：2010/10/29
Luminescence  Localization  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang XG;  Jiang DS;  Bian LF;  Pan Z;  Li LH;  Wu RH;  Liang XG,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang XG;  Jiang DS;  Sun BQ;  Bian LF;  Pan Z;  Li LH;  Wu RH;  Liang XG,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Selective intermixing of Ga(In)NAs/GaAs quantum well structures usingSiO(2) encapsulation and rapid thermal annealing 会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:  Xu YQ;  Li LH;  Pan Z;  Lin YW;  Wang QM;  Xu YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(157Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1138/221  |  提交时间：2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy  Mu-m  
1.3 mu m GaInNAs/GaAs multiple-quantum-wells resonant-cavity-enhanced photodetectors 会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:  Zhang W;  Pan Z;  Li LH;  Zhang RK;  Lin YW;  Wu RG;  Zhang W Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Gainnas  Photodetector  Resonant Cavity Enhanced  High Speed Property  Molecular-beam Epitaxy  Schottky Photodiodes  Performance  Efficiency  Operation  Bandwidth  Design  Si  
Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Pan Z;  Li LH;  Zhang W;  Wang XU;  Lin YW;  Wu RH;  Pan Z Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(124Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1190/219  |  提交时间：2010/11/15
Adsorption  Characterization  Radiation  Molecular Beam Epitaxy  Nitrides  Surface-emitting Laser  Quantum-wells  Operation  Range