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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [5]
中科院半导体材料科学... [1]
作者
文献类型
会议论文 [6]
发表日期
2010 [1]
2006 [2]
2004 [3]
语种
英语 [6]
出处
SMIC-XIII ... [2]
2004 7TH I... [1]
2006 IEEE ... [1]
INEC: 2010... [1]
Silicon Ca... [1]
资助项目
收录类别
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IEEE Elect... [2]
Aixtron.; ... [1]
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
Ordered FePt Nanoparticle Arrays Prepared by a Micellar Method
会议论文
INEC: 2010 3RD INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, VOLS 1 AND 2, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, JAN 03-08, 2010
作者:
Gao Y (Gao Y.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Qu S (Qu S.)
;
You JB (You J. B.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Chen NF (Chen N. F.)
;
Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/01
Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2005丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Pittsburgh, PA, SEP 18-23, 2005
作者:
Sun, GS (Sun, Guosheng)
;
Ning, J (Ning, Jin)
;
Gong, QC (Gong, Quancheng)
;
Gao, X (Gao, Xin)
;
Wang, L (Wang, Lei)
;
Liu, XF (Liu, Xingfang)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1323/203
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提交时间:2010/03/29
Homoepitaxial Growth
Low-pressure Hot-wall Cvd
Structural And Optical Characteristics
Intentional Doping
Schottky Barrier Diodes
A direct-conversion mixer with DC-offset cancellation for IEEE 802.11a WLAN receiver
会议论文
2006 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS丛书标题: IEEE INTERNATIONAL SYMP ON CIRCUITS AND SYSTEMS, Kos Isl, GREECE, MAY 21-24, 2006
作者:
Xu, Q (Xu, Qiming)
;
Hu, X (Hu, Xueqing)
;
Gao, P (Gao, Peng)
;
Yan, J (Yan, Jun)
;
Yin, S (Yin, Shi)
;
Dai, FF (Dai, Foster F.)
;
Jaeger, RC (Jaeger, Richard C.)
;
Xu, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Growth and characterization of 4H-SiC by horizontal hot-wall CVD
会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Sun, GS
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Chemical-vapor-deposition
Molecular beam epitaxial growth of GaN on 3c-SiC/Si(111) substrates using a thick AIN buffer layer
会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Gao, X
;
Li, JM
;
Sun, GS
;
Zhang, NH
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Gao, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Si(111)
Aln
Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Sun, GS
;
Ning, J
;
Zhang, YX
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
4h-sic
Lpcvd Homoepitaxial Growth
Thermal Oxidization
Mos Structures
Hot-wall Cvd