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| 利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中
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| 利用UHV/CVD低温生长SiGe材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 成步文 ; 薛春来; 罗丽萍; 韩根全; 曾玉刚; 薛海韵; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王翠鸾; 韩淋; 吴芃; 刘媛媛; 李伟; 冯小明; 王勇刚; 刘素平; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 仲莉; 王俊; 冯小明; 王勇刚; 王翠鸾; 韩琳; 崇锋; 刘素平; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 马书懿; 张伯蕊; 秦国刚; 韩和相; 汪兆平; 李国华; 马振昌; 宗婉华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 钟战天; 周小川; 杜全钢; 周鼎新; 吴荣汉; 王森; 李承芳; 於美云; 徐俊英; 朱勤生
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 钟战天; 周小川; 杜全钢; 李承芳; 周鼎新; 王森; 吴荣汉; 於美云; 徐俊英; 蒋健
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| 利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 施辉伟; 陈诺夫; 黄添懋; 尹志岗; 吴金良; 张汉
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| 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 黄添懋; 陈诺夫; 施辉伟; 尹志岗; 吴金良; 王彦硕; 汪宇; 张汉
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