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An efficient dose-compensation method for proximity effect correction 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 8, 页码: 86001-1-86001-4
Authors:  Wang Ying;  Han Weihua;  Yang Xiang;  Zhang Renping;  Zhang Yang;  Yang Fuhua
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Fabrication of Silicon Crystal-Facet-Dependent Nanostructures by Electron-Beam Lithography 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 1057-1061
Authors:  Yang Xiang;  Han Weihua;  Wang Ying;  Zhang Yang;  Yang Fuhua
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通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  韩伟华;  张扬;  刘剑;  杨富华
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高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1640-1644
Authors:  杜伟;  许兴胜;  韩伟华;  王春霞;  张杨;  杨富华;  陈弘达
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微纳加工技术在光电子领域的应用 期刊论文
物理, 2006, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 51-55
Authors:  韩伟华;  樊中朝;  杨富华
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具有图像分割功能的脉冲耦合神经网络的实现电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231216.0, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  熊莹;  韩伟华;  杨富华
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一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201589.3, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  韩伟华;  熊莹;  张严波;  赵凯;  杨富华
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