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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong JJ (Dong J. J.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  You JB (You J. B.);  Cai PF (Cai P. F.);  Yin ZG (Yin Z. G.);  An Q (An Q.);  Ma XB (Ma X. B.);  Jin P (Jin P.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Chu PK (Chu Paul K.);  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang BT (Wang Bao-Tian);  Zhang P (Zhang Ping);  Song HZ (Song Hongzhou);  Shi HL (Shi Hongliang);  Li DF (Li Dafang);  Li WD (Li Wei-Dong);  Zhang, P, Inst Appl Phys & Computat Math, LCP, POB 8009, Beijing 100088, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhang_ping@iapcm.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang BT (Wang Bao-Tian);  Shi HL (Shi Hongliang);  Li WD (Li Wei-Dong);  Zhang P (Zhang Ping);  Zhang, P, Inst Appl Phys & Computat Math, LCP, POB 8009, Beijing 100088, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhang_ping@iapcm.ac.cn
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