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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu WJ (Wu Wen-jin);  Wang HW (Wang Hong-wu);  Chen SJ (Chen Shao-jiang);  Guo TT (Guo Ting-ting);  Wang SJ (Wang Shou-jue);  Su Q (Su Qian);  Sun M (Sun Ming);  An D (An Dong);  An, D, China Agr Univ, Coll Informat & Elect Engn, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wanna1106@163.com;  andong@semi.ac.cn
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Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality 会议论文
2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, Princeton, NJ, MAY 07-11, 2006
作者:  Zhao, YW (Zhao, Youwen);  Dong, ZY (Dong, Zhiyuan);  Dong, HW (Dong, Hongwei);  Sun, NF (Sun, Niefeng);  Sun, TN (Sun, Tongnian);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Stimulated Current Spectroscopy  Current Transient Spectroscopy  Fe-doped Inp  Point-defects  Compensation  Temperature  Donors  Traps  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YW;  Dong, HW;  Li, JM;  Ling, LY;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Li JM;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(119Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1802/569  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Zeng YP;  Jiao JH;  Li JM;  Lin LY;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(145Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1310/426  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Jiao JH;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(29Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1229/572  |  提交时间：2010/08/12
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:  Zhao YW;  Sun NF;  Dong HW;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Sun TN;  Lin LY;  Sun NF Hebei Semicond Res Inst POB 179-40 Shijiazhuang 050002 Hebei Peoples R China.
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Indium Phosphide  Semi-insulating  Annealing  Picts  Photoluminescence  Semiinsulating Inp  Indium-phosphide  Fe  Photoluminescence  Temperature  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Lu HP;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Ctr Mat Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Zhang YH;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(41Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1296/462  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Sun NF;  Dong HW;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Sun TN;  Lin LY;  Sun NF,Hebei Semicond Res Inst,POB 179-40,Shijiazhuang 050002,Hebei,Peoples R China.
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