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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu J;  Xu PF;  Zhu YG;  Meng HJ;  Chen L;  Wang WZ;  Zhang XH;  Zhao JH;  Pan GQ;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu YG;  Zhang XH;  Li T;  Chen L;  Lu J;  Zhao JH;  Zhang XH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xinhuiz@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang XH (Huang, Xiaohui);  Wang H (Wang, Huaibing);  Yin S (Yin, Song);  Chen XR (Chen, Xiaorong);  Chen W (Chen, Wei);  Yang H (Yang, Hui);  Wang, H, CAS, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215125, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbwang2006@sinano.ac.cn
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聚光太阳电池单元 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  黄添懋;  王晓晖;  陈晨龙;  吴金良;  董毅
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硅V形槽板及利用硅V形槽板装配微丝电极阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  张若昕;  裴为华;  隋小红
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  隋晓红;  陈弘达
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CMOS电路与MEMS微电极的单片集成化方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  隋晓红;  裴为华
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砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  白一鸣;  梁平;  王晓晖
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin ZG (Yin Zhigang);  Chen NF (Chen Nuofu);  Dai RX (Dai Ruixuan);  Liu L (Liu Lei);  Zhang XW (Zhang Xingwang);  Wang XH (Wang Xiaohui);  Wu JL (Wu Jinliang);  Chai CL (Chai Chunlin);  Yin, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhg@semi.ac.cn
Adobe PDF(719Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1068/280  |  提交时间:2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sui XH (Sui Xiao-Hong);  Zhang RX (Zhang Ruo-Xin);  Pei WH (Pei Wei-Hua);  Chen HD (Chen Hong-Da);  Sui, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xhsui@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(411Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:845/269  |  提交时间:2010/03/29