基于SOI硅片的硅微电极制作与评估

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	基于SOI硅片的硅微电极制作与评估
	隋晓红; 陈弘达
	2008
Source Publication	半导体学报
Volume	29 Issue:11 Pages:2169-2174
Abstract	采用微机电系统(MEMS)工艺方法制作了基于SOI衬底的七通道硅微电极,用于视神经视觉修复.通过噪声分析确定了硅微电极的金属暴露位点的几何尺寸.优化设计了硅微电极的几何结构,以便于减小植入损伤.阻抗测试结果表明,当测试电压为50mVpp时,1kHz频率下,微电极的单通道阻抗为2.3MQ,适用于神经电信号记录.在体实验结果表明,动物初级视皮层记录到的神经电信号幅度为8μV.
metadata_83	上海交通大学生物医学工程系,激光与光子生物医学研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:3496215
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15865
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	隋晓红,陈弘达. 基于SOI硅片的硅微电极制作与评估[J]. 半导体学报,2008,29(11):2169-2174.
APA	隋晓红,&陈弘达.(2008).基于SOI硅片的硅微电极制作与评估.半导体学报,29(11),2169-2174.
MLA	隋晓红,et al."基于SOI硅片的硅微电极制作与评估".半导体学报 29.11(2008):2169-2174.

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