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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu X;  Gu YX;  Wang Q;  Wei X;  Chen LH;  Wang, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. wangqing@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen X (Chen Xi);  Zhong YA (Zhong Yuan);  Wang Q (Wang Qing);  Zhang YJ (Zhang Ye-Jin);  Chen LH (Chen Liang-Hui);  Chen, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chenxi@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huo YH (Huo Y. H.);  Ma WQ (Ma W. Q.);  Zhang YH (Zhang Y. H.);  Chen LH (Chen L. H.);  Shi YL (Shi Y. L.);  Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: wqma@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang YJ (Zhang Yejin);  Zheng WH (Zheng Wanhua);  Aiyi Q (Aiyi Qi);  Qu HW (Qu Hongwei);  Peng HL (Peng Hongling);  Xie SZ (Xie Shizhong);  Chen LH (Chen Lianghui);  Zhang, YJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. yjzhang@semi.ac.cn;  whzheng@semi.ac.cn;  qiaiyi@semi.ac.cn;  quhw@semi.ac.cn;  hlpeng@semi.ac.cn;  xsz-dee@tsinghua.edu.cn;  chenlh@semi.ac.cn
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环形腔光子晶体垂直腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081989.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑婉华;  刘安金;  邢名欣;  渠宏伟;  周文君;  陈微;  陈良惠
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两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081985.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  霍永恒;  马文全;  种明;  张艳华;  陈良惠
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一种制备具有稳定偏振输出的垂直腔面发射激光器的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196119.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  宋国峰;  蔡利康;  王青;  陈良惠
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低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910080069.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  林孟喆;  曹青;  颜庭静;  陈良惠
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一种横磁偏振光子晶体慢光效应半导体光放大器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010277684.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张冶金;  郑婉华;  渠红伟;  邢名欣;  陈良惠
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电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081984.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  霍永恒;  马文全;  种明;  张艳华;  陈良惠
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