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一种制备具有稳定偏振输出的垂直腔面发射激光器的方法
宋国峰; 蔡利康; 王青; 陈良惠
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种制备具有稳定偏振输出的垂直腔面发射激光器的方法,该方法包括:在垂直腔面发射激光器出光腔面生长一层增透膜;在该增透膜上镀一层金属膜;腐蚀掉出光腔面以外的增透膜和金属膜;在出光腔面的金属膜上制备亚波长光栅。利用本发明,工艺成熟,可操作性强,可重复性好,器件成品率高,同时VCSEL尺寸较小,阈值较低,便于二维集成,金属亚波长光栅的偏振选择性好,可以提供更好的偏振抑制,实现稳定偏振输出的VCSEL阵列。
部门归属纳米光电子实验室
专利号CN201010196119.2
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010196119.2
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22429
专题纳米光电子实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
宋国峰,蔡利康,王青,等. 一种制备具有稳定偏振输出的垂直腔面发射激光器的方法. CN201010196119.2.
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