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| 半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王翠鸾; 王勇刚; 林涛; 王俊; 郑凯; 冯小明; 仲莉; 马杰慧; 马骁宇
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| 低温生长砷化镓式半导体可饱和吸收镜 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-02-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王勇刚; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang YG (Wang YongGang); Ma XY (Ma XiaoYu); Liu Y (Liu Yang); Sun LQ (Sun LiQun); Tian Q (Tian Qian); Wang, YG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: chinawygxjw@163.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu J (Liu Jie); Wang CX (Wang Chunxing); Tian WM (Tian Wenmiao); Liu SH (Liu Shihua); Wang GG (Wang Guanggang); Wang YG (Wang Yonggang); Liu, J, Shandong Normal Univ, Coll Phys & Elect, Jinan 250014, Peoples R China. E-mail: jieliu@sdnu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang YG (Wang Yonggang); Ma XY (Ma Xiaoyu); Wang CL (Wang Cuiluan); Lin T (Lin Tao); Zhen K (Zhen Kai); Wang J (Wang Jun); Zhong L (Zhong Li); Jia YL (Jia YuLei); Wei ZY (Wei ZhiYi); Wang, YG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: chinawygxjw@163.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 林涛; 郑凯; 王翠鸾; 王俊; 王勇刚; 仲莉; 冯小明; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 卓壮; 姜其畅; 王勇刚; 苏艳丽; 李涛; 李建
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 姜其畅; 卓壮; 王勇刚; 李健; 苏艳丽; 马骁宇; 张志刚; 王清月
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