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| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫建昌 ; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 一种氮化镓系发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235850.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 马平; 王军喜; 刘乃鑫; 路红喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 一种增强LED出光效率的粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 光源频闪测试装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人: 赵勇兵; 裴艳荣; 朱绍歆; 田婷; 郭金霞; 杨华; 伊晓燕; 王国宏; 李晋闽
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| 用于金属有机气相沉积设备的进气喷头 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 冉军学; 胡强; 梁勇; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 冉军学; 胡强; 胡国新; 梁勇; 熊衍凯; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-08
发明人: 冉军学; 胡强; 胡国新; 梁勇; 熊衍凯; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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